Антава

INFINEON

Транзистор IGW50N65H5FKSA1

IGW50N65H5FKSA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
305 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGW50N65H5FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность305 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.