INFINEON
Транзистор IGP10N60TXKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 18 A
- Рассеиваемая мощность
- 110 W
- Корпус
- TO220-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 26 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%309,27 ₽
Сумма · с НДС 22%309,27 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 309,27 ₽ | |
| от 2 | 288,65 ₽ | |
| от 10 | 217,43 ₽ | |
| от 20 | 208,06 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IGP10N60TXKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 18 A |
| Рассеиваемая мощность | 110 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.