Антава

INFINEON

Транзистор IGP10N60TXKSA1

IGP10N60TXKSA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
18 A
Power dissipation
110 W
Корпус
TO220-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGP10N60TXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current18 A
Power dissipation110 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3

Документация

Документ производителя