INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IGOT60R070D1AUMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IGOT60R070D1AUMA1
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor	N-JFET
Technology	CoolGaN™
Polarisation	unipolar
Kind of transistor	HEMT
Drain-source voltage	600V
Drain current	31A
Pulsed drain current	60A
Power dissipation	125W
Корпус	PG-DSO-20
Gate-source voltage	-10V
On-state resistance	70mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.8nC
Kind of package	tape
Kind of channel	enhancement
Gate current	20mA

Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A

Документация

Документ производителя