Антава

INFINEON

Транзистор IGLD65R080D2AUMA1

Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
GaN
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Power dissipation
68 W
Gate-source voltage
-10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGLD65R080D2AUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияGaN
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Power dissipation68 W
Gate-source voltage-10 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.3nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.