Антава

INFINEON

Транзистор IGLD65R055D2AUMA1

Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
GaN
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Power dissipation
91 W
Gate-source voltage
-10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGLD65R055D2AUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияGaN
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Power dissipation91 W
Gate-source voltage-10 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.7nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W

Документация

Документы пока не предоставлены.