Антава

INFINEON

Транзистор IGC033S10S1XTMA1

Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
GaN
Drain current
76 A
Power dissipation
45 W
Gate-source voltage
-4...5.5 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGC033S10S1XTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияGaN
Drain current76 A
Power dissipation45 W
Gate-source voltage-4...5.5 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 76A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.