INFINEON

Транзистор IGC033S10S1XTMA1

Фото уточняется

Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Drain current: 76A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: -4...5.5V
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IGC033S10S1XTMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-JFET / N-MOSFET
Technology	GaN
Drain current	76A
Power dissipation	45W
Gate-source voltage	-4...5.5V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 76A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.