Антава

INFINEON

Транзистор IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
63 A
Power dissipation
135 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGB50N65S5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current63 A
Power dissipation135 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time50ns
Turn-off time199ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK

Документация

Документ производителя