Антава

INFINEON

Транзистор IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
63 A
Рассеиваемая мощность
135 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 329 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%716,02 ₽

Сумма · с НДС 22%716,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1716,02 ₽
от 10468,02 ₽
от 100326,31 ₽
от 125318,85 ₽
от 150309,53 ₽
от 500264,78 ₽
от 1000240,54 ₽
от 2000223,76 ₽
от 3000212,57 ₽
от 5000201,38 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIGB50N65S5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current63 A
Рассеиваемая мощность135 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time50ns
Turn-off time199ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK

Документация

Документ производителя