Антава

INFINEON

Транзистор IGB30N60TATMA1

IGB30N60TATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
39 A
Power dissipation
187 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGB30N60TATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current39 A
Power dissipation187 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge167nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time44ns
Turn-off time0.3µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK

Документация

Документ производителя