Антава

INFINEON

Транзистор IGB30N60H3ATMA1

IGB30N60H3ATMA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Power dissipation
187 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 574 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%579,34 ₽

Сумма · с НДС 22%579,34 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1579,34 ₽
от 10385,60 ₽
от 50307,72 ₽
от 100275,43 ₽
от 200258,33 ₽
от 500248,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIGB30N60H3ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Power dissipation187 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK

Документация

Документ производителя