Антава

INFINEON

Транзистор IGB30N60H3ATMA1

IGB30N60H3ATMA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
187 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGB30N60H3ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность187 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK

Документация

Документ производителя