Антава

INFINEON

Транзистор IGB15N65S5ATMA1

IGB15N65S5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
23 A
Рассеиваемая мощность
52.5 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGB15N65S5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current23 A
Рассеиваемая мощность52.5 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time26ns
Turn-off time147ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK

Документация

Документ производителя