INFINEON
Транзистор IGB15N60TATMA1
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 15 A
- Рассеиваемая мощность
- 130 W
- Корпус
- D2PAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 831 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%476,09 ₽
Сумма · с НДС 22%476,09 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 476,09 ₽ | |
| от 5 | 399,24 ₽ | |
| от 10 | 354,26 ₽ | |
| от 50 | 256,79 ₽ | |
| от 100 | 224,92 ₽ | |
| от 250 | 215,55 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IGB15N60TATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 15 A |
| Рассеиваемая мощность | 130 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.