Антава

INFINEON

Транзистор IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
10 A
Power dissipation
110 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%453,86 ₽

Сумма · с НДС 22%453,86 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1453,86 ₽
от 10292,76 ₽
от 100201,99 ₽
от 250177,98 ₽
от 500162,79 ₽
от 1000150,04 ₽
от 2000139,35 ₽
от 3000133,91 ₽
от 5000129,41 ₽
от 7000127,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIGB10N60TATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current10 A
Power dissipation110 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK

Документация

Документ производителя