INFINEON
Диод IDH08G65C6XKSA1
- Type of diode
- Schottky rectifying
- Технология
- CoolSiC™ 5G, SiC
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 650 V
- Load current
- 8 A
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%496,34 ₽
Сумма · с НДС 22%496,34 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 496,34 ₽ | |
| от 5 | 344,73 ₽ | |
| от 10 | 317,66 ₽ | |
| от 25 | 283,36 ₽ | |
| от 50 | 259,90 ₽ | |
| от 100 | 241,85 ₽ | |
| от 500 | 231,02 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IDH08G65C6XKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Технология | CoolSiC™ 5G, SiC |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 650 V |
| Load current | 8 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Корпус | PG-TO220-2 |
| Max. forward voltage | 1.25 V |
| Max. forward impulse current | 37 A |
| Leakage current | 62 µA |
| Рассеиваемая мощность | 63 W |
| Kind of package | tube |
| Heatsink thickness | 1.17...1.37mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.