INFINEON

Транзистор IAUZ40N08S5N100ATMA1

PG-TSDSON-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 160 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IAUZ40N08S5N100ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™ 5
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	160 A
Рассеиваемая мощность	68 W
Корпус	PG-TSDSON-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	14.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	24.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.