Антава

INFINEON

Транзистор IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
300 A
Рассеиваемая мощность
300 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIAUT300N08S5N014ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current300 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8

Документация

Документ производителя