Антава

INFINEON

Транзистор IAUT260N10S5N019ATMA1

IAUT260N10S5N019ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
260 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIAUT260N10S5N019ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current260 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8

Документация

Документ производителя