Антава

INFINEON

Транзистор IAUC60N04S6N031HATMA1

IAUC60N04S6N031HATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
22 A
Pulsed drain current
311 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIAUC60N04S6N031HATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current22 A
Pulsed drain current311 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.