Антава

INFINEON

Транзистор IAUC26N10S5L245ATMA1

IAUC26N10S5L245ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
104 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIAUC26N10S5L245ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7 A
Pulsed drain current104 A
Рассеиваемая мощность40 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8

Документация

Документы пока не предоставлены.