Антава

INFINEON

Транзистор IAUC120N04S6N009ATMA1

IAUC120N04S6N009ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
480 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIAUC120N04S6N009ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Pulsed drain current480 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A

Документация

Документ производителя