Антава

INFINEON

Транзистор IAUC100N04S6N028ATMA1

IAUC100N04S6N028ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
77 A
Pulsed drain current
400 A

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIAUC100N04S6N028ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current77 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность62 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.