Антава

INFINEON

Транзистор IAUC100N04S6N022ATMA1

IAUC100N04S6N022ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
96 A
Pulsed drain current
400 A

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIAUC100N04S6N022ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current96 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.