ONSEMI
Транзистор HUF76639S3ST
TO263ABИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 50 A
- Power dissipation
- 180 W
- Корпус
- TO263AB
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | HUF76639S3ST |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 50 A |
| Power dissipation | 180 W |
| Корпус | TO263AB |
| Gate-source voltage | ±16 V |
| On-state resistance | 26 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 71nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 180W; TO263AB
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.