Антава

ONSEMI

Транзистор HUF75639S3ST

HUF75639S3ST
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
UltraFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 526 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%698,82 ₽

Сумма · с НДС 22%698,82 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1698,82 ₽
от 10407,49 ₽
от 50342,96 ₽
от 100317,14 ₽
от 200295,02 ₽
от 250289,48 ₽
от 500283,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяHUF75639S3ST
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияUltraFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current56 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK

Документация

Документ производителя