Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HS8K1TB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
10/11 A
Pulsed drain current
40...44 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяHS8K1TB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current10/11 A
Pulsed drain current40...44 A
Power dissipation2 W
КорпусuDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20/16.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6/7.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.