Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HP8MB5TB1

Type of transistor
N/P-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Power dissipation
20 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 180 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%130,80 ₽

Сумма · с НДС 22%14 911,20 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 114130,80 ₽
от 300119,91 ₽
от 500117,05 ₽
от 1000104,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяHP8MB5TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Power dissipation20 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; 40V; 20W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.