Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HP8M51TB1

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100/-100 V
Drain current
4.5/-4.5 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяHP8M51TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100/-100 V
Drain current4.5/-4.5 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation7 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance180/320 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15/26.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5/-4.5A; Idm: 18A

Документация

Документы пока не предоставлены.