Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HP8M31TB1

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
60/-60V
Drain current
8.5/-8.5A
Pulsed drain current
18A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяHP8M31TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage60/-60V
Drain current8.5/-8.5A
Pulsed drain current18A
Power dissipation7W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance73/80mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.3/38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V

Документация

Документы пока не предоставлены.