Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

HP8KC7TB1

Фото уточняется
Drain-source voltage
60 V
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
11.5 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Kind of channel
enhancement
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяHP8KC7TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Drain-source voltage60 V
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Power dissipation26 W
Исходное описание поставщика

60V; HSOP8; Channel: enhancement; 26W

Документация

Документы пока не предоставлены.