Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HP8KB6TB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Drain-source voltage
40 V
Power dissipation
21 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
15.7 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%171,60 ₽

Сумма · с НДС 22%14 929,20 ₽

От 87 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 87171,60 ₽
от 100154,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяHP8KB6TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Drain-source voltage40 V
Power dissipation21 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; 40V; 21W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.