Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор HP8KA1TB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяHP8KA1TB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current14 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation3 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Semiconductor structurecommon drain
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.