ROHM SEMICONDUCTOR
Комплектующее HP8JE5TB1
HSOP8Изображение корпуса
- Drain-source voltage
- 100 V
- Корпус
- HSOP8
- Gate-source voltage
- ±20 V
- On-state resistance
- 127 mΩ
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Kind of channel
- enhancement
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 500 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%287,64 ₽
Сумма · с НДС 22%14 094,36 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 49 | 287,64 ₽ | |
| от 50 | 208,35 ₽ | |
| от 100 | 191,76 ₽ | |
| от 300 | 180,70 ₽ | |
| от 500 | 162,26 ₽ | |
| от 1000 | 160,41 ₽ | |
| от 2000 | 158,57 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | HP8JE5TB1 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Корпус | HSOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 127 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
| Рассеиваемая мощность | 21 W |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
100V; HSOP8; Channel: enhancement; 21W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.