Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Комплектующее HP8JE5TB1

Drain-source voltage
100 V
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
127 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Kind of channel
enhancement

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 500 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%287,64 ₽

Сумма · с НДС 22%14 094,36 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 49287,64 ₽
от 50208,35 ₽
от 100191,76 ₽
от 300180,70 ₽
от 500162,26 ₽
от 1000160,41 ₽
от 2000158,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяHP8JE5TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Drain-source voltage100 V
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance127 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Рассеиваемая мощность21 W
Исходное описание поставщика

100V; HSOP8; Channel: enhancement; 21W

Документация

Документы пока не предоставлены.