Антава

ONSEMI

Транзистор HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
2.7 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяHGTD1N120BNS9A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current2.7 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current6 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.