HUAJING
Транзистор HFGM100D12V1
Фото недоступно- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2kV
- Collector current
- 100A
- Корпус
- V1
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | HFGM100D12V1 |
|---|---|
| Производитель | HUAJING |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Collector current | 100A |
| Корпус | V1 |
| Application | for UPS, Inverter |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Pulsed collector current | 200A |
| Technology | PT |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.