Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT880P15K

GT880P15K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-30 A
Power dissipation
138 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT880P15K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-30 A
Power dissipation138 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -150V; -30A; 138W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.