GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT880P15D5

DFN5x6-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150 V
Drain current: -30 A
Рассеиваемая мощность: 138 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	GT880P15D5
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	SGT
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150 V
Drain current	-30 A
Рассеиваемая мощность	138 W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	46nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -150V; -30A; 138W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.