Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT700P08T

GT700P08T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-25 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT700P08T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-25 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -25A; 125W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.