Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT700P08K

GT700P08K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT700P08K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-20 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -20A; 125W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.