Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT6K2P10KH

GT6K2P10KH
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4.3 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT6K2P10KH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4.3 A
Power dissipation25 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -4.3A; 25W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.