Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT6K2P10IH

GT6K2P10IH
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-1 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT6K2P10IH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-1 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -1A; 1.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.