Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT52N10D5

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
71 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT52N10D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current71 A
Power dissipation100 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.