Антава

TOSHIBA

Транзистор GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
44 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 81 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 094,54 ₽

Сумма · с НДС 22%1 094,54 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 094,54 ₽
от 10766,36 ₽
от 25686,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT50JR22(STA1,E,S)
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current44 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current100 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time250ns
Turn-off time330ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN

Документация

Документ производителя