Антава

TOSHIBA

Транзистор GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
49 A
Power dissipation
230 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 83 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%940,25 ₽

Сумма · с НДС 22%940,25 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1940,25 ₽
от 10670,52 ₽
от 25642,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT50JR21(STA1,E,S)
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current49 A
Power dissipation230 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current100 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time430ns
Turn-off time720ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN

Документация

Документ производителя