Антава

TOSHIBA

Транзистор GT40WR21,Q(O

GT40WR21,Q(O
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.8 kV
Collector current
40 A
Power dissipation
375 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 52 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 644,09 ₽

Сумма · с НДС 22%2 644,09 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 644,09 ₽
от 52 366,76 ₽
от 252 091,34 ₽
от 1001 880,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT40WR21,Q(O
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.8 kV
Collector current40 A
Power dissipation375 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time950ns
Turn-off time570ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN

Документация

Документ производителя