Антава

TOSHIBA

Транзистор GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
35 A
Рассеиваемая мощность
230 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 85 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 307,41 ₽

Сумма · с НДС 22%1 307,41 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 307,41 ₽
от 10929,84 ₽
от 25518,45 ₽
от 100490,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT40QR21(STA1,E,D
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current35 A
Рассеиваемая мощность230 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time0.3µs
Turn-off time0.6µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN

Документация

Документ производителя