Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT400P10M

GT400P10M
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-35 A
Power dissipation
106 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT400P10M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-35 A
Power dissipation106 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.