Антава

TOSHIBA

Транзистор GT30J121(Q)

GT30J121(Q)
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
170 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 93 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%842,87 ₽

Сумма · с НДС 22%842,87 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1842,87 ₽
от 3768,87 ₽
от 10644,33 ₽
от 25546,87 ₽
от 100444,00 ₽
от 500418,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT30J121(Q)
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность170 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time240ns
Turn-off time430ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN

Документация

Документ производителя